日本傳感器的應變極限和疲勞壽命
    日本傳感器電路的噪聲及干擾來源傳感器電路很容易接收到外界或內(nèi)部些無規(guī)則的噪聲或干擾信號，其實傳感器設計的成功與否與干擾設計是分不開的。
    1.低頻噪聲
    低頻噪聲主要是由于內(nèi)部的導電微粒不連續(xù)造成的。特別是碳膜電阻，其碳質材料內(nèi)部存在許多微小顆粒，顆粒之間是不連續(xù)的，在電流流過時，會使電阻的導電率發(fā)生變化引起電流的變化，產(chǎn)生類似接觸不良的閃爆電弧。另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關。
    2.日本傳感器高頻熱噪聲
    高頻熱噪聲是由于導電體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動產(chǎn)生的。溫度越高，電子運動就越激烈。導體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動會在其內(nèi)部形成很多微小的電流波動，因其是無序運動，故它的平均總電流為零，但當它作為個元件(或作為電路的部分)被接入放大電路后，其內(nèi)部的電流就會被放大成為噪聲源，特別是對工作在高頻頻段內(nèi)的電路高頻熱噪聲影響尤甚。
    3.半導體器件產(chǎn)生的散粒噪聲
    由于半導體PN結兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應。當外加正向電壓升高時，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運動，相當于對電容充電。當正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠離耗盡區(qū)，相當于電容放電。當外加反向電壓時，耗盡區(qū)的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)時，這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電流產(chǎn)生微小波動，從而產(chǎn)生電流噪聲。其產(chǎn)生噪聲的大小與溫度、頻帶寬度△f成正比。
    1．應變極限
    應變極限是指在定溫度下，應變片的指示應變與試件的真實應變的相對誤差達規(guī)定值時的真實應變值。
    2．疲勞壽命
    在恒定幅值的交變力作用下，可以連續(xù)工作而不產(chǎn)生疲勞損壞的循環(huán)次數(shù)N稱為應變片的疲勞壽命。緣電阻和zui大工作電流
    應變片的緣電阻Rm是指已粘貼的應變片的引線與被測件之間的電阻值。通常要求在50～100MΩ以上。其下降將使測量系統(tǒng)的靈敏度降低。
    zui大工作電流,是指已安裝的應變片，允許通過敏感柵而不影響其工作特性的zui大電流Imax。工作電流大，輸出信號也大，靈敏度高。通常靜態(tài)測量時取25mA左右，動態(tài)測量時取75～100mA。